Les effets de porteurs chauds qui sont attendus (ou quelquefois observés) dans les champs croisés électrique (aussi statiques que de micro-onde) et magnétique (pas quantique) ont été étudiés. Ce qui nous intéresse le plus est le cas où l'interaction entre le porteur et le phonon optique est plus forte que les autres processus de diffusion. Dans les champs électriques statiques l'effet principal est l'accumulation de porteurs dans la région spéciale de l'espace de la quantité de mouvement qui produit, par exemple, l'inversion de population, la conductivité différentielle négative, la supraradiance et le déplacement caractéristique de résonance du cyclotron du germanium de type-p. Dans le champ intense de micro-onde, remarquables sont les car...
Starting from analytical and numerical solutions of the equation for collisionless motion of a singl...
http://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/3472/5/bab2660.0001.001.pdfhttp://deepblue.lib.umich...
We study the properties of high mobility GaAs/GaAlAs quantum well structure by monitoring the micro...
Résumé.- Les effets de porteurs chauds qui sont attendus (ou quelquefois observés) dans les champs c...
We investigate the conditions under which the notion of electron temperature is meaningful for elect...
L'effet de la diffusion électron-électron sur les électrons chauds et photoexcités dans GaAs est étu...
We study how the behaviour of an electron in d.c. electric or magnetic fields changes when this elec...
The production of a hot plasma usually results in an anisotropic velocity distribution function for ...
The coupled Boltzmann equations are used to develop a theory of the electron-phonon interaction in s...
On décrit le comportement d'un électron subissant des réflections entre deux miroirs magnétiques, de...
The mechanisms of irregular photoluminescence intensity oscillations, as observed in optically detec...
On montre comment la technique des impulsions de chaleur se révèle utilisable pour étudier le coupla...
We report on a study of microwaves-irradiated high mobility two dimensional electron gas by means of...
des techniques le plus souvent utilisées des micro-ondes des-tinées à l'étude des^électrons cna...
Nous présentons une revue d'expériences qui s'intéressent à l'ionisation, l'excitation, et la struct...
Starting from analytical and numerical solutions of the equation for collisionless motion of a singl...
http://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/3472/5/bab2660.0001.001.pdfhttp://deepblue.lib.umich...
We study the properties of high mobility GaAs/GaAlAs quantum well structure by monitoring the micro...
Résumé.- Les effets de porteurs chauds qui sont attendus (ou quelquefois observés) dans les champs c...
We investigate the conditions under which the notion of electron temperature is meaningful for elect...
L'effet de la diffusion électron-électron sur les électrons chauds et photoexcités dans GaAs est étu...
We study how the behaviour of an electron in d.c. electric or magnetic fields changes when this elec...
The production of a hot plasma usually results in an anisotropic velocity distribution function for ...
The coupled Boltzmann equations are used to develop a theory of the electron-phonon interaction in s...
On décrit le comportement d'un électron subissant des réflections entre deux miroirs magnétiques, de...
The mechanisms of irregular photoluminescence intensity oscillations, as observed in optically detec...
On montre comment la technique des impulsions de chaleur se révèle utilisable pour étudier le coupla...
We report on a study of microwaves-irradiated high mobility two dimensional electron gas by means of...
des techniques le plus souvent utilisées des micro-ondes des-tinées à l'étude des^électrons cna...
Nous présentons une revue d'expériences qui s'intéressent à l'ionisation, l'excitation, et la struct...
Starting from analytical and numerical solutions of the equation for collisionless motion of a singl...
http://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/3472/5/bab2660.0001.001.pdfhttp://deepblue.lib.umich...
We study the properties of high mobility GaAs/GaAlAs quantum well structure by monitoring the micro...