EFFECT OF HEATING SAMPLES DURING PULSED ELECTRON BEAM ANNEALING ON THE OPEN-CIRCUIT VOLTAGE OF SILICON SOLAR CELLS

On a recherché les causes des faibles tensions en circuit ouvert associées au recuit pulsé électronique dans la réalisation des photopiles silicium implantées phosphore. Les défauts induits ont été analysés sur la base d'observations en microscopie électronique, en D.L.T.S. et d'étude de dégradation de diodes Schottky. On définit une méthode permettant d'améliorer notablement les valeurs de Voc en associant des électrons de faible énergie cinétique moyenne (10 keV), des fluences faibles (≤ l J/cm2) sur cibles portées à 450°C. Des valeurs de Voc comparables à celles obtenues par recuit thermique conventionnel sont observées.Defects associated to pulsed electron beam annealing of P implanted Si solar cells lead to poor Voc (< 500 mV). Their nature is discussed on the basic of S.E.M. observations, D.L.T.S. study and degradation of electrical characteristics of Schottky barriers. An improved PEBA process is determined, characterized by a low mean energy electron beam (10 keV) associated to a starting temperature of 450°C and low fluences (≤ J/cm2). Values of Voc similar to conventional thermal annealing are obtained