EXCITON-DEFECT INTERACTION IN THE ALKALI HALIDES

On mesure l'interaction exciton-défaut dans KI entre 4 K et 77 K par l'étude du comportement de la luminescence intrinsèque dans les cristaux irradiés en utilisant conjointement comme excitation les UV et un faisceau électronique de moyenne énergie (60 keV). Ce dernier est aussi utilisé pour créer les défauts. On en déduit que la distance d'interaction augmente en dessous de 40 K uniquement pour les excitons créés par UV dans le premier pic d'absorption. Ce résultat est interprété par une diffusion athermique de l'exciton non relaxé à très basse température.Exciton-defect interaction in KI between 4 K and 77 K is measured through the study of the intrinsic luminescence of irradiated crystals excited by both UV and medium energy (60 keV) electron irradiation. The latter is also used to create the defects. We find that the interaction range increases below 40 K only for excitons created by UV absorption in the first exciton peak. This result is interpreted by the athermal diffusion of the non relaxed exciton at very low temperature