Caractérisation de jonctions ultra-minces réalisées par dopage laser

Cette étude concerne les techniques de recuit laser (LTP) et de dopage laser direct (GILD) de jonctions ultra-minces, nécessaires à la fabrication des composants microélectroniques du futur (générations CMOS sub 0,1 $\mu$m). Des jonctions de 20 à 80 nm sont réalisées à l'aide d'un laser à excimères. Le procédé est suivi en temps réel grâce à l'analyse de la réflectivité transitoire à 675 nm. L'évolution de l'activation des dopants est ensuite caractérisée par spectroscopie IR (FTIR). Les résultats obtenus permettent de caractériser les jonctions en termes d'épaisseur dopées, concentration et résistivité. Une comparaison avec des caractérisations classiques (mesures électriques de résistivité, profils SIMS) permet de valider ces mesures et de mettre en évidence l'intérêt des techniques optiques pour la caractérisation in-situ et ex-situ des couches minces dopées réalisées par laser