PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

La réalisation par épitaxie en phase liquide de diodes laser à faible courant de seuil (≈ 20 mA), à faible étendue de champ proche (2 à 3 µm) et émettant dans la plage 1,3 µm - 1,6 µm demande la réalisation de structures ruban présentant un effet de guidage par saut d'indice. De telles structures peuvent être efficacement réalisées par des techniques d'épitaxie en phase liquide en deux étapes : épitaxie d'une double hétérojonction à faible densité de courant de seuil, reprise d' épitaxie localisée, après gravure chimique du ruban, de murs bloquants destinés au confinement latéral du courant et au guidage dans le plan de jonction