RAPID THERMAL ANNEALING OF TiW SCHOTTKY CONTACTS ON GaAs

La stabilité de l'interface TiW/GaAs durant le recuit rapide à des températures allant de 700°C à 1050°C a été étudiée avec les techniques SIMS, Auger, RBS, XRD, TEM à haute résolution, EDS, et des mesures IV et CV. Les mesures de contacts Schottky ont démontré une forte croissance de hauteur de barrière, allant de 0.70eV après déposition à 0.95eV après un recuit à 950°C. Les résultats indiquent une augmentation artificielle de la hauteur de barrière due au dopage de type p du substrat par une diffusion de Ti.The stability of the TiW/GaAs interface during rapid thermal annealing at temperatures between 700°C and 1050°C has been investigated using SIMS, Auger, RBS, XRD, cross-sectional TEM, EDS, IV and CV analysis. Schottky contact measurements showed a steady increase of the barrier height with annealing temperature from the as-deposited value of 0.70eV to 0.95eV after annealing at 950°C. The results are consistent with an artificial barrier height enhancement due to p-doping of the substrate by indiffusing Ti