GaSb AND GaInAsSb PHOTODETECTORS FOR λ > 1.55 µm PREPARED BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Des couches de GaSb de type p et n ont été élaborées par dépôt en phase vapeur à partir d'organométalliques (MOCVD) sur des substrats de GaSb et de GaAs semi-isolant ; les plus faibles niveaux de dopage obtenus sont p = 2 x 1016cm-3, n = 8 x 1015 cm-3. Des couches de Ga1-xInxAsySb1-y de type p ont aussi été fabriquées par cette méthode avec une composition assurant la photodétection à 2.5µm. Les propriétés des couches et des jonctions obtenues sont décrites.p and n GaSb layers have been grown on GaSb and semi-insulating GaAs substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method ; the lowest doping levels obtained are : p = 2 x 1016 cm-3, n = 8 x 1015cm-3. P type Ga1-xInxAsySb1-y layers have also been fabricated by MOCVD with a composition insuring the photodetection at a wavelength of 2.5µm. The properties of the layers and of the as grown junctions are described