NONLINEAR SURFACE ELECTROMAGNETIC WAVES AT METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES

L'existence d'une grande susceptibilité non-linéaire du troisième ordre, X(3), dans les semiconducteurs (en particulier, dans les composés III-V) produit de nouveaux types d'ondes électromagnétiques de surface localisées aux interfaces métal-semiconducteur. La relation de dispersion de ces ondes est fonction de leur intensité. Nous avons observé récemment pour la première fois, ces ondes électromagnétiques de surface non-linéaires aux interfaces Ag-Si et Ag-GaAs. Dans ce papier, nous donnons un bref aperçu sur les considérations expérimentales et sur le travail théorique correspondant.The existence of a large third order nonlinear susceptibility, x(3), in semiconductors (e.g., III-V compounds) gives rise to new types of surface electromagnetic waves (SEWs) at the metal-semiconductor interfaces whose dispersion relations are intensity dependent. Recently, we observed for the first time, nonlinear SEWs at Ag-Si and Ag-GaAs interfaces. In this paper we give a brief summary of the experimental considerations and related theoretical work