PEDESTAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH POLYSILICON ACTIVE BASE AND EMITTER WHICH ACHIEVES MINIMIZED CAPACITANCES

Des transistors bipolaires qui utilisent une couche de polysilicium doper de bore pour la base intrinsèque (sur silicium monocristallin) et extrinsèque (sur oxyde), et un émetteur polycristallin doper de phosphore, ont été realisés avec des gains en courant inverses jusqu'à 10. Le processus de fabrication est basé sur la déposition normale de couches polycristallines, suivie d'une recristallisation qui dépent du doping.Bipolar transistors using a boron doped polysilicon layer for the intrinsic (on monocrystalline silicon) and extrinsic base regions (on field oxide), and a phosphorous doped polysilicon emitter, have been realized with upward current gains up to 10. The process is based on standard polysilicon film deposition followed by doping dependent recrystallization