EFFET LASER DANS LES JONCTIONS TIRÉES D'ANTIMONIURE DE GALLIUM ET D'ANTIMONIURE D'INDIUM RÉSULTATS RÉCENTS

Nous avons étudié des jonctions tirées d'antimoniure de gallium et d'antimoniure d'indium. Nous avons observé l'effet laser dans l'antimoniure de gallium à 78 °K, pour des énergies de 775, 790 et 800 MeV. La raie à 800 MeV correspond à la transition bande à bande, et les deux autres à des transitions sur des niveaux d'impuretés. Une des diodes présente l'effet laser en régime continu à 5 °K. L'émission est filamentaire et la mesure de l'écart entre modes donne : n - λ dn/dλ = 4. Nous avons observé l'émission stimulée dans deux diodes d'antimoniure d'indium, à 5 °K. Pour l'une d'entre elles, l'émission stimulée n'a lieu qu'à la fin de l'impulsion de courant. Nous expliquons ce phénomène par le fait que les forts champs électriques que nous utilisons élèvent la température des électrons. Il n'y a alors émission stimulée que lorsque ceux-ci sont à nouveau thermalisés