Pour rendre compte des courbures de dislocations dans le silicium différentes estimations de la tension de ligne sont présentées et comparées aux résultats expérimentaux obtenus à faibles et fortes contraintes.Different approximations for the line tension of dislocation bends in silicon are discussed and compared with experimental results obtained for low stress and high stress deformation
Nous décrivons la géométrie et les états électroniques des dislocations partielles rectilignes dans ...
On étudie l'influence des contraintes élevées sur la largeur de dissociation des dislocaions dans si...
This thesis presents the results of an experimental investigation of the yielding phenomenon during ...
A dislocation dynamical model for plastic deformation including increase and decrease in mobile disl...
Le régime permanent de déplacement des parties courbées des dislocations dans un cristal de silicium...
International audienceWe report on tension–compression cyclic loading of single-slip oriented silico...
Three-point bend tests carried out by Folk [R.H. Folk, The brittle to ductile transition in silicon:...
Les caractéristiques du mouvement d'ensemble des dislocations pendant la déformation de cristaux de ...
Representative length scale of ULSI (Ultra Large Scale Integration) cells is going to be at a nano-m...
Direct measurements (1) of the displacement of dislocations due to pulse loading of iron - 3.25 per...
Le changement de la dissociation des dislocations vis et des dislocations à 60° par une contrainte é...
On montre que les dislocations sont dissociées non seulement au repos mais aussi en mouvement. En ut...
Relaxation of strained silicon on 20% linear graded virtual substrates has been quantified using a d...
International audienceThe control of stress in silicon devices is an important issue for improvement...
In this second part, the mechanical behaviour of elemental semiconductors (ESC) and III-V compounds ...
Nous décrivons la géométrie et les états électroniques des dislocations partielles rectilignes dans ...
On étudie l'influence des contraintes élevées sur la largeur de dissociation des dislocaions dans si...
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