CONDUCTING DIFFUSION BARRIER : FORMATION AND CHARACTERISATION OF WN OBTAINED BY THERMAL ANNEALING UNDER NH3 OF W FILMS DEPOSITED ON Si

- A partir de la RBS et de la diffraction X, nous montrons qu'au dessus d'une épaisseur critique de W (inférieure à 2000 Å), WSi2 couvert par γ WN peut être formé par recuit sous NH3 au dessus de 800° C de films de W déposés sur C-Si. La résistivité du γ WN est ~ 100µΩ-cm.- From Rutherford Backscattenng and X-ray diffraction we show that above a critical W thickness (< 2000 Å), WSi2 covered by γ WN can be formed by annealing under NH3 of W films deposited on C-Si. Its resistivity is ~ 100µΩ-cm