INTERACTION OF PHONONS WITH POINT DEFECTSINTERACTION OF PHONONS WITH STRESS-SPLIT ACCEPTOR STATES IN Ge AND Si

On a étudié la propagation des « pulses de chaleur » dans le Si-p et le Ge-p, en fonction de contraintes uniaxiales (jusqu'à 1 × 109 dynes cm-2) et de la température des pulses. On a obtenu des expressions pour les taux de diffusion des phonons par les processus importants, associés à la séparation des états des accepteurs par les contraintes. Ces taux ont été obtenus pour l'absorption par résonance (pour les phonons ayant des énergies proches de l'énergie de séparation) ainsi que pour quelques processus du second ordre. En plus, on a évalué la diffusion des phonons par les impuretés isotopiques, en utilisant le formalisme de Rayleigh. Le taux de diffusion totale calculé, est en bon accord avec les amplitudes des phonons, mesurées en fonction des contraintes. Une mise en accord des résultats expérimentaux et calculés fournit deux groupes de valeurs des constantes du potentiel de déformation ; un groupe pour le cas « statique » (a* q >≈ 1) et le deuxième groupe pour le cas « dynamique » (a* q ≈ 1) and « dynamic » (a* q << 1) deformation potential constants (a* is the effective Bohr radius of the impurity ; q is the wave number of the relevant wave component). This observation resolves the apparent conflict in previously reported values of these constants, obtained from separate studies in the static (e. g., piezoreflectance) and dynamic (thermal conductivity) regimes. It should be emphasized that the heat pulse study is particularly well suited for investigating these differences, because the constants for the two regimes are derived within the framework of the same experiment