DEEP STATES AND SURFACE PROCESSES IN GaAs GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Nous avons utilisé les mesures de DLTS pour étudier l'influence des conditions de croissance sur les pièges à électrons désignés par M1, M2, M3 et M4 présents dans le GaAs élaboré par EJM dans un domaine de températures de 520°C à 650°C. Pour un rapport As : Ga de 5:1, les concentrations de M1, M3 et M4 tombent de 2 décades pour des températures de croissance passant de 520°C à 650°C, tandis que M2 a un comportement plus complexe et est le piège principal dans les couches déposées à 650°C. A une température de croissance fixée à 550°C, les concentrations de M1 et M4 diminuent quand le rapport As:Ga augmente alors que les concentrations de M2 et M3 augmentent. Les concentrations de M1 et M4 sont également réduites d'un facteur de 25 quand Pb ou l'hydrogène interagissent avec la surface pendant la croissance. Nous concluons que M1 et M4 sont reliés, bien que n'étant pas le même centre, et peuvent être associés à une lacune As. M2 et M3 sont des entités différentes, reliées ni à M1 ni à M4.We have used DLTS measurements to study the influence of growth conditions on the electron traps designated M1, M2, M3 and M4 which occur in MBE GaAs grown in the temperature range 520°C to 650°C. At an As:Ga ratio of 5:1 the concentrations of M1, M3 and M4 fall by two decades for growth temperatures increasing from 520°C to 650°C, whereas M2 has a more complex behaviour and is the dominant trap in 650°C grown layers. At a fixed growth temperature of 550°C concentrations of M1 and M4 fall with increasing As:Ga ratio whereas concentrations of M2 and M3 increase. The concentrations of M1 and M4 are also reduced by a factor 25 when Pb or hydrogen interact with the surface during growth. We argue that M1 and M4 are related, though not the same centre, and may be associated with As vacancies. M2 and M3 are different entities, neither of them related to M1 nor M4