Espectroscopia raman em materiais bidimensionais

Nesta tese investigamos as propriedades de quatro tipos de materiais bidimensionais: grafeno bicamada rodado(empilhamento de duas camadas com diferentes ângulos de rotação entre camadas), fósforo negro, seleneto de germânio e sulfeto de germânio (monocalcogenetos do grupo IV) por meio de espectroscopia Raman. O espectro Raman de diferentes amostras de grafeno rodado com diferentes ângulos de rotação entre as camadas, variando entre 0_ a 30_ foram medidos utilizando lasers com comprimentos de onda de 488nm, 532nm e 633nm. As estruturas eletrônicas das amostras investigadas foram mapeadas e a energia em que as ressonâncias acontecem foram atribuídas às singularidades de van Hove que estão relacionadas com o tamanho da célula de Moiré obtida pela rotação de uma camada em relação a outra. Medidas de dependência angular do espectro Raman em amostras de fósforo negro(BP) foram também realizadas e foi demonstrado que a dependência angular dos espectros Raman apresenta um comportamento não usual. Para explicar tal comportamento foi mostrado que deve-se sempre considerar a natureza complexa dos elementos do tensor Raman. A estrutura atômica e comportamento de fônons nas proximidades da borda de amostra de BP foi também estudada experimentalmente usando espectroscopia Raman polarizada e explicada teoricamente usando cálculos baseados na teoria do funcional da densidade. Os espectros Raman polarizados mostraram o aparecimento de modos nas bordas das amostras, normalmente proibidos por regras de seleção de simetria da fase bulk. As simulações teóricas confirmaram que a quebra de simetria se origina de uma reorganização atômica nas bordas do cristal. Esse mesmo fenômeno foi também observado em amostras de GeS e GeSe que apresentam uma estrutura cristalina similar à de cristais de BP.In this thesis, the properties of four kinds of layered materials were investigated: twisted bilayer graphene, black phosphorus, germanium selenide (GeSe) and germanium sulfide (GeS) (group IV monochalcogenides) by means of Raman spectroscopy. The Raman spectrum of different twisted bilayer graphene samples rotated by different angles ranging from 0 to 30 was measured using three lasers with wavelengths of 488 nm, 532 nm, and 633 nm. The electronic structure of the investigated samples was mapped and the energy in which the resonances take place were attributed to the presence of van Hove singularities that are related to the size of Moiré cell. Angular dependence measurements of the Raman spectrum on black phosphorus (BP) samples were also performed and it was demonstrated that the angular dependence of the Raman band intensities presents an unusual behavior. In order to explain such behavior, one must consider the complex nature of the Raman tensors. Furthermore, the atomic structure and phonon behavior in the vicinity of the BP sample edges were also studied using polarized Raman spectroscopy and the experimental results were explained by using density functional theory calculations. Polarized Raman spectra showed the appearance of some modes at the edges of the samples prohibited by symmetry selection rules. Theoretical simulations confirm that this symmetry breaking originates from an atomic rearrangement at the edges of the crystal. A similar behavior was also observed for GeS and GeSe samples and the appearance of Raman modes of the edges was attributed to the reorganization of the atoms of the crystal edges, since their crystal structure are similar to that of BP crystals.Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e TecnológicoFundação de Amparo a Pesquisa do Estado de São PauloFundo Mackenzie de Pesquis