Вплив гамма-випромінювання на основні статичні характеристики SiGe транзисторів

The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static base current gain in the common-emitter (CE) configuration on emitter current, the output characteristic in the CE configuration.Рассмотрено воздействие гамма-излучения радионуклида 60Co на наиболее значимые для аналоговых микросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторов техпроцесса SGB25V: напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе, зависимость статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (ОЭ) от эмиттерного тока, выходная характеристика в схеме с ОЭ.Розглянуто вплив гамма-випромінювання радіонукліда 60Co на найбільш важливі для аналогових мікросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторів техпроцесу SGB25V: напруга на прямозміщеному емітерному переході, залежність статичного коефіцієнта передачі струму бази в схемі із спільним емітером (СЕ) від емітерного струму, вихідна характеристика в схемі з СЕ