Creation of polycrystalline silicon thin films by re-crystallization of amorphous silicon deposited by PVD and CVD methods

Diplomová práce se zabývá tvorbou amorfních křemíkových vrstev o tloušťce přibližně 1 mikrometr, jejich tepelným zpracováním pro přeměnu amorfní fáze na krystalickou a vyhodnocením vlivu odlišných depozičních technik na strukturu po tepelném zpracování. Práce se zabývá výzkumem mikrostrukturních a optických vlastností vrstev po tepelném zpracování ve srovnání s výchozí strukturou po depozici. Vrstvy se využívají zejména pro tenkovrstvé solární články II. a III. generace. V systému solárních článků plní zkoumané vrstvy funkci absorpční.Katedra materiálu a strojírenské metalurgieObhájenoThe diploma work deals with the creation of amorphous silicon thin films (thickness approximately 1 ?m) and with the heat treatment of these films to achieve the microcrystalline structure. The work deals with the different kinds of methods of deposition and their influence on properties of thin films after heat treatment in the comparison with thin films after deposition. The aim of this work is to evaluate the influence of various methods on the structural and optical properties which are important because of the right function of the thin film which has absorbency. These films are used for solar cells II. and III. generation