Propriedades estruturais e eletr?nicas de interfaces de nitreto de boro c?bico e hexagonal.

Programa de P?s-Gradua??o em Ci?ncias ? F?sica de Materiais. Departamento de F?sica, Instituto de Ci?ncias Exatas e Biol?gicas, Universidade Federal de Ouro Preto.Nesta tese, utilizando m?todos baseados na teoria funcional da densidade, investigamos as propriedades estruturais e eletr?nicas do nitreto de boro hexagonal depositado sobre nitreto de boro c?bico hidrogenado. Al?m disso, aplicamos press?o uniaxial sobre estes materiais e verificamos como propriedades estruturais e eletr?nicas seriam afetadas. Vimos que a simples deposi??o n?o afeta sua estrutura eletr?nica e, assim, o nitreto de boro hexagonal pode at? servir como uma camada protetora em situa??es em que a intera??o com esp?cies qu?micas do ambiente possa afetar as propriedades de transporte das superf?cies. Mas, com a aplica??o de uma press?o uniaxial na interface de nitreto de boro c?bico com o nitreto de boro hexagonal, sua estrutura eletr?nica pode ser afetada, alterando suas propriedades de transporte, podendo, inclusive, tornar a interface semicondutora. Vimos, tamb?m, que a morfologia da superf?cie de nitreto boro c?bico hidrogenada (que pode ser terminada em B-H ou N-H) tem um forte efeito de propriedades eletr?nicas da superf?cie de nitreto de boro c?bico, o que, por sua vez, afeta as propriedades eletr?nicas e estruturais da interface nitreto de boro c?bico/nitreto de boro hexagonal.In this thesis, using methods based on density functional theory, we investigate the structural and electronic properties of hexagonal boron nitride deposited on hydrogenated cubic boron nitride. In addition, uniaxial pressure applied on these materials and we note how structural and electronic properties would be affected. We have seen that the simple deposition does not affect its electronic structure and thus the hexagonal boron nitride can even serve as a protective layer in situations where interaction with chemical species of the environment may affect the transport properties of surfaces. But, by applying a uniaxial pressure in cubic boron nitride interface with the hexagonal boron nitride, their electronic structure can be affected by changing its transport properties and can even make semiconductor interface. We have seen, too, that the surface morphology of cubic boron nitride hydrogenated (which can be completed in B-H or N-H) has a strong effect of surface electronic properties of cubic Boron Nitride, which in turn affects the electronic and structural properties of Boron Nitride interface of hexagonal boron cubic-nitride