Radiation Transformation of Diazoquinone-Novolac Photoresist Reflectance Spectra at Antimony Ions Implantation

Измерением спектров отражения исследованы имплантированные ионами сурьмы пленки фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные методом центрифугирования на поверхность пластин кремния р-типа (ρ = 10 Ом ⋅ см) с ориентацией (111). Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением молекулярной рефракции и плотности фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки при увеличении дозы имплантации наблюдается рост коэффициента отражения.A method of measuring the reflection spectra was used to study the implantation of photoresist films of the photoluminescence FP9120 with a thickness of 1.8 μm, implanted by antimony ions, deposited by centrifugation on the surface of p-type silicon plates (ρ = 10 Ω cm) with the (111) orientation. It was shown that, implantation leads to the decrease of photoresist refractive index caused by the radiation linkage of novolac resin, as well as the decrease of molecular refraction and photoresist density. In the opacity area of photoresist film reflectance coefficient growth was observed at the increase of implantation dose