Los materiales ferroeléctricos presentan una serie de propiedades que les hace apropiados para un gran número de aplicaciones. Estos materiales presentan dos estados de polarización de igual energía entre los que se puede transitar mediante la aplicación de un campo eléctrico externo, convirtiéndolos en materiales muy atractivos para su utilización en memorias RAM. Hoy en día, la tendencia de los dispositivos de memoria es aumentar la densidad de almacenamiento, que se encuentra actualmente en los Tb/inch2, manteniendo o disminuyendo su coste. Para ello, es imprescindible poder fabricar unidades de almacenamiento cada vez más pequeñas, manteniendo sus propiedades y a un coste lo más bajo posible. En la presente tesis doctoral se ha desarrol...