Pembuatan Dan Karakterisasi Sel Surya Silikon Berbasis Metal-Insulator-Semikonduktor (MIS)

PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI SEL SURYA SILIKON BERBASIS METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR (M-1-S). Pembuatan dan karakterisasi sel surya silikon susunan M-I-S telah dilakukan dengan menggunakan teknik deposisi plasma. Bahan semikonduktor silikon tipe-n berukuran 1 x 1 cm2 dengan orientasi kristal digunakan sebagai sumber pasangan elektron-lubang. Metode deposisi plasma digunakan untuk mendeposisikan bahan organik toluene sebagai isolator diantara substrat silikon dan elektroda uap logam, dengan variasi waktu deposisi yaitu 5 menit, 10 menit dan 15 menit. Semua parameter operasi dibuat tetap, yaitu tekanan vakum 2 X 1 o-2 mbar, tekanan operasi 6,5 x 10-2 mbar, tegangan pendorong 650 V, tegangan pemfokus 200 V, daya RF 10 V, dan suhu toluene 40°C. Elektroda logam berbentuk kisi dilapiskan diatas lapisan isolator organik sebagai.front grid dengan menggunakan logam perak (Ag), emas (Au) dan tembaga (Cu) sedangkan bahan kontak ohmik dilapiskan dibagian belakang silikon sebagai back contact dengan menggunakan logam Aluminium (Al) dan Nikel (Ni) keduanya dibuat dengan metode evaporasi. Di permukaan sel surya diberi lapisan antirefleksi Ti02, untuk meminimalkan adanya pantulan sinar yang mengenai permukaan sel surya. Hasil pengukuran resistivitas menunjukkan adanya peningkatan resistivitas setelah dilapisi dengan bahan isolator organik. Pengamatan pengaruh logam kontak pada arus keluaran menunjukkan bahwa kontak logam Au menghasilkan arus keluaran terbesar, jika dibandingkan dengan logam Cu dan Ag. Dari basil penelitian sel surya M-I-S, diperoleh nilai efisiensi terbesar 12,93 % untuk Si/Toluene/Au/15 menit dan terendah 4,58 % untuk sel surya Si/Toluene/Ag/10 menit, sedangkan besarnya faktor pengisi memiliki nilai antara 0,52 sampai 0,67