Pengaruh Tegangan Rf Dan Temperatur Substrat Dalam Proses Plasma Sputtering Menggunakan Gas Argon Pada Deposisi Lapisan Tipis Karbon Di Atas Sensor Quartz Crystal Microbalance (QCM)

Proses deposisi lapisan tipis bisa dilakukan dengan metode plasma sputtering dengan gas argon. Plasma dibangkitkan dengan tegangan RF dan temperatur substrat yang divariasikan, tegangan RF mulai dari 100 V, 120 V, dan 140 V, sedangkan temperatur substrat mulai dari 150o C, 200o C, dan 250o C. Parameter lain dibuat tetap, tekanan chamber sebesar 15 Pa, laju alir gas 60 ml/menit, DC bias sebesar -500 V, dan proses sputtering selama 1 jam. Penelitian ini bertujuan untuk melihat pengaruh tegangan RF dan temperatur substrat terhadap karakter plasma yang terbentuk, sekaligus dengan hasil deposisi pada substrat QCM. Selama proses deposisi spektrum dari plasma didapat menggunakan spektrometer Aurora 4000, dan hasil deposisi pada substrat QCM akan diamati menggunakan SEM dan EDX. Berdasarkan hasil yang telah diperoleh, nilai temperatur dan densitas elektron sebanding dengan kenaikan tegangan RF yang diberikan, jadi didapatkan nilai temperatur dan densitas elektron terbesar pada plasma dengan pemberian tegangan RF 140 V. Sedangkan untuk temperatur substrat, semakin besar temperatur substrat semakin kecil nilai temperatur dan densitas elektron yang didapat. Untuk hasil deposisi pada substrat QCM, hasil deposisi menggunakan metode plasma sputtering yang dilakukan belum bisa menghasilkan lapisan karbon yang rata. Terlihat dari hasil SEM dan EDX yang menunjukkan hasil deposisi yang masih berbentuk titik-titik karbon