Studi Pengaruh Variasi Daya Generator Plasma Terhadap Laju Etsa Plasma Pada Kristal Sio2 Menggunakan Gas Ch2fcf3

Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF3. Plasma dibangkitkan dengan daya yang divariasikan dari 40 watt sampai 120 watt, sedangkan parameter lain dibuat tetap. Tekanan diatur sebesar 1 torr, masukan gas CH2FCF3 sebesar 20 mL/menit, dan waktu etching sebesar 1 jam. Sebelum dietsa bahan diberi masking berupa selotip kapton agar sebagian bahan tidak teretsa, dan bisa diamati perbedaan antara daerah yang dietsa dan yang tidak dietsa. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh daya yang diberikan terhadap laju etsa, koefisien anisotrop, dan perubahan kekasaran bahan yang dietsa. Bahan yang telah dietsa akan diamati dengan TMS-1200 (Topography Measurement System) untuk mengetahui morfologi permukaannya. Berdasarkan hasil yang diperoleh, laju etsa terbesar terjadi pada daya 100 watt yaitu sebesar 8,95 nm/menit. Daya juga berpengaruh terhadap koefisien anisotrop yang didapat, dan menurut perhitungan koefisien anisotrop terbaik didapat pada daya 110 watt yaitu 4,8×〖10〗^(-2). Untuk nilai kekasaran bahan yang didapat, naik turunnya daya tidak berpengaruh secara langsung terhadap nilai kekasaran permukaan, tetapi proses plasma etching membuat kekasaran bahan semakin meningkat