Studi Pengaruh Tekanan Dalam Rancang Bangun Sistem Plasma Chemical Vapor Deposition Terhadap Mikrostruktur Lapisan Karbon Dengan Menganalisa Spektrum Hasil Ftir

Telah dibuat desain dan rancang bangun sistem Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) untuk deposisi lapisan tipis karbon. Komponen sistem pembangkit plasma terdiri dari reaktor plasma, generator, rotary pump, sumber gas dan sensor tekanan. Plasma dibangkitkan dengan daya sebesar 160 W menggunakan generator AC berfrekuensi 40 kHz dengan menggunakan Ar/blue gaz. Tujuan penelitian ini adalah untuk mendesain dan membuat sistem plasma CVD serta untuk mempelajari pengaruh tekanan chamber reaktor plasma terhadap mikrostruktur lapisan karbon. Tekanan chamber reaktor yang digunakan untuk proses deposisi sebesar 4,39 Torr, 4,89 Torr dan 5,29 Torr dimana parameter lainnya dibuat tetap. Lapisan karbon yang dihasilkan dikarakterisasi dengan menggunakan FTIR. Hasil penelitian menunjukkan bahwa tekanan chamber mempengaruhi pembentukan plasma dan intensitas absorbansi lapisan karbon hasil deposisi. Semakin tinggi tekanan chamber, intensitas absorbansi lapisan karbon semakin kecil. Pada tekanan 4,39 Torr, intensitas absorbansi tertinggi dimiliki oleh ikatan C-H sedangkan pada tekanan 4,89 Torr dimiliki oleh ikatan C=