Studi Pengaruh Daya Pada Metode Sputtering Terhadap Pembentukan Lapisan Tipis Karbon Di Atas Substrat Kaca

Metode Sputtering adalah salah satu metode deposisi untuk membentuk lapisan karbon yang memerlukan bahan dalam bentuk padat sebagai bahan targetnya. Bahan target yang digunakan dalam penelitian ini adalah karbon dengan kemurnian tinggi yang berasal dari tempurung kelapa. Gas yang digunakan pada proses Sputtering adalah gas argon. Laju alir gas argon ke dalam reaktor diatur pada nilai 25 ml/menit. Reaktor yang digunakan pada penelitian ini memiliki tingkat kevakuman yang tergolong medium. Plasma di dalam reaktor dihasilkan melalui pemberian daya dari genetaror ke dalam sistem. Daya yang digunakan memiliki variasi antara 120 Watt, 160 Watt, dan 200 Watt. Waktu yang digunakan untuk melakukan deposisi adalah selama 3 jam. Substrat yang telah terdeposisi oleh karbon selanjutnya dikarakterisasi dengan SEM dan spektroskopi infra merah. Berdasarkan hasil SEM pada variasi daya 200 Watt diperoleh bahwa lapisan tipis karbon yang terdeposisi diatas substrat terlihat memiliki model pertumbuhan berbentuk island dengan ketebalan berkisar antara (510-672,2) nm, akan tetapi lapisan tipis karbon yang terbentuk tersebut belum terdeposisi secara merata. Sedangkan pada spektrum hasil spektroskopi infra merah menunjukkan bahwa telah teridentifikasi jenis ikatan C = C yang menunjukkan adanya karbon yang terdeposisi diatas substrat. Selain itu didapati pula bahwa nilai absorbansi dari ikatan C = C yang terbentuk akan meningkat seiring dengan peningkatan tingginya variasi daya yang digunakan