Effect of Ionizing Radiation on Characteristics of Semiconductor Devices / Sergei Miskiewicz, Fadei Komarov, Alexander Komarov, Galina Zayats, Vera Yuvchenko

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in SolidsВ настоящей работе рассмотрены радиационные эффекты, возникающие в полупроводниковых материалах при воздействии на них ионизирующих излучений различного типа и энергии. Показаны механизмы, посредством которых происходят изменения рабочих характеристик полупроводниковых приборов. Разработана физико-математическая модель радиационных повреждений биполярных транзисторов. Реализован метод расчета распределения неравновесных носителей заряда по рабочим областям биполярного транзистора как в одномерном, так и в двумерном приближении. Выявлены различия в радиационной стойкости транзисторов, работающих в разных режимах и с разной топологией, и определены их оптимальные значения. Приведены основные результаты моделирования, которые показывают хорошее соответствие с экспериментальными данными.Radiation effects of ionizing corpuscular and electromagnetic radiation on semiconductors and semiconductor devices were investigated. The model of radiation-induced changes in semiconductor devices such as BJT was developed. It is based on continuity equation solving and used to calculate the 1D and 2D distribution of non-equilibrium charge carriers in areas of BJT and changes in input and output characteristics and current gain. The simulation results and the experimental data are shown