Magnetoresistive Effect in Thin Iron Films with Perpendicylar Magnetic Anisotropy / Viktoria Golovchuk, Yuri Bumai, Mikhail Lukashevich, Ildar Faizrakhmanov, Rustam Khaibullin

Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of Nanomaterials and NanostructuresПредставлены результаты измерений величины поперечного и продольного магнитосопротивления при комнатной температуре в тонких пленках железа, полученных метод ионно-стимулированного осаждения металла на кремневую подложку. Исходно осажденные пленки железа проявляют перпендикулярную магнитную анизотропию, которая полностью исчезает после термического отжига пленки в вакууме. Обнаружено сильное влияние перпендикулярной магнитной анизотропии в железной пленке на форму и параметры кривых гистерезиса магнитосопротивления, регистрируемых при различных углах сканирования магнитного поля по отношению к плоскости пленки и пики, обусловленные рассеянием носителей заряда доменными стенками.Н.М. Лядов благодарит РФФИ (проект № 18-32-00203) за финансовую поддержку данной работы в отношение синтеза пленок железа с перпендикулярной магнитной анизотропией.Measurements of transverse and longitudinal magnetoresistive effect in thin (80 nm) films of iron prepared by ion-assisted deposition on silicon substrates have been curried out at room temperature in a swepping magnetic field up to 1,5 T. As- prepared films shown perpendicular magnetic anisotropy which vanishes after annealing at 600 ˚C in vacuum. It was shown that magnetoresistanse of as-prepared films depends on magnetic prehistory of the sample and angle between magnetic field direction and plane of the sample. Peaks of magnetoresistive effect because of domain walls scattering have been observed at B≈0,25T