Синтез, структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок висмута

Изучены пленки висмута, полученные разными методами: электрохимическим осаждением, центробежным затвердеванием либо электрохимическим осаждением с последующим отжигом. С помощью рентгенодифракционного анализа и сканирующей электронной микроскопии исследована структура пленок, определены размеры зерен и текстура. Измерены удельное сопротивление, магнитосопротивление, коэффициент Зеебека, коэффициент Холла в диапазоне температур 4—300 К и магнитных полей до 8 Тл. Рассчитаны концентрации и подвижности носителей заряда. Различия в электрофизических свойствах исследованных пленок висмута объяснены разными механизмами рассеяния носителей заряда.Bismuth films fabricated by different methods such as electrochemical deposition, melt spinning and electrochemical deposition with further annealing, have been studied, Films structure, grain size and texture were investigated using XRD and SEM methods. Resistivity, inagnetoresistance, Seebeck coefficient, Hall coefficient were measured in the temperature range from 4 to 300 К under magnetic field up to 8 T. Charge carriers concentration and mobilities were calculated. The difference in the electrophysical properties of the bismuth films studied was explained by different mechanisms of charge carrier scattering