Influence of surface morphology on the stability of nanowires of germanium and silicon / I. S. Samusevich, D. A. Shohonov, I. V. Safronov, D. B. Migas

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахПроведено исследование стабильности наношнуров кремния и германия с различными типами морфологий и направлениями роста в диапазоне диаметров ~1,5–20 нм. Моделирование проводилось методом молекулярной динамики с использованием пакета LAMMPS. Результаты показывают, что с увеличением диаметра наношнуров более 20 нм их морфология практически не влияет на стабильность.Investigation of stability of silicon and germanium nanowires with various morphologies and growth directions in the range of diameters of ~1.5–20 nm has been carried out. The simulation was performed by using the molecular dynamics method realized in the LAMMPS package. The results show that nanowire morphology does not affect stability if diameters are larger than 20 nm