Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva

Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors

V. A. Solodukha
U. A. Pilipenko
V. A. Gorushko

June 2019

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на...

Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko

Гурбо, А. Д.
Бондаренко, В. П.

January 2018

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахМето...

Radiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski

Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Самохвал, В. В.
Янковский, Ю. Н.

January 2003

Методами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского р...

Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистора

Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.

January 2009

Interrelation has been established of the break-down voltage collector – base and the gain ratio of ...

The features of thermal and radiation degradation of interstitial-phase-based contact structures / N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovskyi

Болтовец, Н. С.
Конакова, Р. В.
Миленин, В. В.
Войциховский, Д. И.

January 2001

Рассмотрено влияние комплексного воздействия быстрых термических отжигов (БТО) и у-радиации 60Со на ...

Simulating of charge build-up in irradiated MOS/SOI transistors / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskii

Огородников, Д. А.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.

January 2018

Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводникахПроведен расчет накопления повер...

Recombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevich

Лугаков, П. Ф.
Казакевич, Л. А.

January 2001

Описаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, со...

Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg

Лиопо, В. А.
Сабуть, А. В.
Семиколенова, Н. А.
Шелег, А. У.

January 2001

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...

The electromagnetic ﬁeld potentials of an arbitrary charge and current distribution in Coulomb gauge / A. N. Furs

Фурс, А. Н.

January 2017

В калибровке Кулона рассчитаны потенциалы поля произвольного распределения зарядов и токов. Показано...

Thermal models of breakdowns in semiconductor structures under actions of high electromagnetic pulses

Алексеев, В. Ф.
Журавлев, В. И.
Alexeev, V. F.
Zhuravliov, V. I.

January 2005

Приведен анализ тепловых моделей, описывающих деградацию полупроводниковых струк- тур (ПС) на возде...

Simulation of source and drain effect on electron energy quantization in short-channel MOSFETs / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak

Жевняк, О. Г.
Жевняк, Я. О.

January 2018

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахС по...

Determining the parameters protection elements of high voltage rectifier in charger devices pulse current generators

Вінниченко, Дмитро Валерійович

January 2016

Від надійності роботи зарядних пристроїв ємнісних накопичувачів енергії залежить робота ЕГІ установо...

CONSTRUCTION OF MODELS OF THE NON-EQUILIBRIUM STATES OF ELECTRONS IN SEMICONDUCTOR PLASMA FOR SUPERCONDUCTED DEFENCE OF RADIOTECHNICAL FACILITIES

Д.Б. Кучер
А.И. Фык
Д.Б. Кучер
О.І. Фик
D.B. Кucher
A.I. Fyik

January 2015

Формулируются этапы построения полезных моделей создания и рекомбинации электронных потоков с исполь...

Creation of residual stresses into surface layers of targets from titanium alloy during their irradiation with intense pulsed electron beams / V.A. Shulov, D.A. Teryaev, A.D. Teryaev, Yu.A. Perlovich, M.G. Isaenkova, V.A. Fesenko

Шулов, В. А.
Теряев, А. Д.
Теряев, Д. А.
Перлович, Ю. А.
Исаенкова, М. Г.
Фесенко, В. А.

January 2017

Секция 3. Модификация свойств материаловОпределены остаточные напряжения, формируемые в перекристалл...

Forming of ion-doped layers in polysilicon using fast thermal treatment / V.A. Pilipenko, V.N. Ponomar, V.A. Gorushko

Пилипенко, В. А.
Пономарь, В. Н.
Горушко, В. А.

January 2003

Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионнолегированн...

Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors

V. A. Solodukha
U. A. Pilipenko
V. A. Gorushko

June 2019

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на...

Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko

Гурбо, А. Д.
Бондаренко, В. П.

January 2018

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахМето...

Radiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski

Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Самохвал, В. В.
Янковский, Ю. Н.

January 2003

Методами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского р...

Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистора

Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.

January 2009

Interrelation has been established of the break-down voltage collector – base and the gain ratio of ...

The features of thermal and radiation degradation of interstitial-phase-based contact structures / N.S.Boltovets, R.V.Konakova, V.V.Milenin, D.I.Voitsikhovskyi

Болтовец, Н. С.
Конакова, Р. В.
Миленин, В. В.
Войциховский, Д. И.

January 2001

Рассмотрено влияние комплексного воздействия быстрых термических отжигов (БТО) и у-радиации 60Со на ...

Simulating of charge build-up in irradiated MOS/SOI transistors / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskii

Огородников, Д. А.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.

January 2018

Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводникахПроведен расчет накопления повер...

Recombination of charge carriers in irradifted silicon containing as-grown microdefects / P.P.Lugakov, L.A.Kazakevich

Лугаков, П. Ф.
Казакевич, Л. А.

January 2001

Описаны процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда на радиационных дефеістах в кремнии, со...

Studying structural features of semiconductor crystals after y-radiation action / V.A.Liopo, A.V.Sabutz, N.A.Semikolenova, A.U.Sheleg

Лиопо, В. А.
Сабуть, А. В.
Семиколенова, Н. А.
Шелег, А. У.

January 2001

Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...

The electromagnetic ﬁeld potentials of an arbitrary charge and current distribution in Coulomb gauge / A. N. Furs

Фурс, А. Н.

January 2017

В калибровке Кулона рассчитаны потенциалы поля произвольного распределения зарядов и токов. Показано...

Thermal models of breakdowns in semiconductor structures under actions of high electromagnetic pulses

Алексеев, В. Ф.
Журавлев, В. И.
Alexeev, V. F.
Zhuravliov, V. I.

January 2005

Приведен анализ тепловых моделей, описывающих деградацию полупроводниковых струк- тур (ПС) на возде...

Simulation of source and drain effect on electron energy quantization in short-channel MOSFETs / O. G. Zhevnyak, Ya. O. Zhevnyak

Жевняк, О. Г.
Жевняк, Я. О.

January 2018

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахС по...

Determining the parameters protection elements of high voltage rectifier in charger devices pulse current generators

Вінниченко, Дмитро Валерійович

January 2016

Від надійності роботи зарядних пристроїв ємнісних накопичувачів енергії залежить робота ЕГІ установо...

CONSTRUCTION OF MODELS OF THE NON-EQUILIBRIUM STATES OF ELECTRONS IN SEMICONDUCTOR PLASMA FOR SUPERCONDUCTED DEFENCE OF RADIOTECHNICAL FACILITIES

Д.Б. Кучер
А.И. Фык
Д.Б. Кучер
О.І. Фик
D.B. Кucher
A.I. Fyik

January 2015

Формулируются этапы построения полезных моделей создания и рекомбинации электронных потоков с исполь...

Creation of residual stresses into surface layers of targets from titanium alloy during their irradiation with intense pulsed electron beams / V.A. Shulov, D.A. Teryaev, A.D. Teryaev, Yu.A. Perlovich, M.G. Isaenkova, V.A. Fesenko

Шулов, В. А.
Теряев, А. Д.
Теряев, Д. А.
Перлович, Ю. А.
Исаенкова, М. Г.
Фесенко, В. А.

January 2017

Секция 3. Модификация свойств материаловОпределены остаточные напряжения, формируемые в перекристалл...

Forming of ion-doped layers in polysilicon using fast thermal treatment / V.A. Pilipenko, V.N. Ponomar, V.A. Gorushko

Пилипенко, В. А.
Пономарь, В. Н.
Горушко, В. А.

January 2003

Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионнолегированн...

Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors

V. A. Solodukha
U. A. Pilipenko
V. A. Gorushko

June 2019

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на...

Formation of mesoporous silicon in the cooled electrolyte / A. D. Hurbo, V. P. Bondarenko

Гурбо, А. Д.
Бондаренко, В. П.

January 2018

Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектахМето...

Radiation defects annealing in Yb+ ions implanted silicon / D.l. Brinkevich, V.V. Samokhval, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovski

Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Самохвал, В. В.
Янковский, Ю. Н.

January 2003

Методами эффекта Холла в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского р...

Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva

Abstract

Extracted data

Effect of Bor doping on charge - carriers thermal delocalization in ferroelectric - semiconductor TlInS2 / A. P. Odrinsky, M. H. Yu Seyidov, A. I. Nadjafov, V. B. Aliyeva

Abstract

Extracted data

Related items

Related items