Prediction of the parameters of ion implantation in silicon targets for SOI technology (smart-cut) / A.M. Mironov, A.F. Komarov, V.N. Yuvchenko, J.Partyka, M Kovalski

Разработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологии smart-cut формирования структур «кремний на изоляторе». Модель позволяет прогнозировать значения энергии имплантации заданного типа ионов для получения необходимой толщины верхнего слоя монокристаллического кремния, а также минимальные дозы ионов, достаточные для получения качественного скола.A model is proposed allowing to optimize parameters of ion implantation necessary for the formation of silicon-on-insulator structures fabricated with the smart-cut process. The model allows to find optimal ion energies and doses in wide energy range for the obtaining necessary thickness of the upper silicon layer with minimal process cost