Hydrogen donors in the silicon implanted by low energy protons / J. M.Pokotilo, A.N.Petuch, V.V.Litvinov, N.F.Golubev

Методом вольт-фарадных характеристик исследовались диоды Шоттки, изготовленные на эпитаксиальном n-кремнии. Показано, что после имплантации протонов в базовой области диода в отличие от известных HDD и SHD дефектов формируются новые водородосодержащие доноры, профиль распределения которых совпадает с распределением внедренного водорода. Природа наблюдаемых доноров связывается с формированием и трансформацией в поврежденной облучением области двумерных дефектов (плателет).Schottki diodes made on epitaxial n-Si have been studied by capacitance-voltage method. It was shown, that after proton implantation in contrast to well-known HDD and SHD new hydrogen-like donors form Donor distribution coincides with distribution of the implanted protons. The origin observed donors is associated with forming and transformation of two-dimensional defects (plateletes) in the region damaged by implantation