Using of the concentration dependence of resistivity at 2.5 K for the determination of major impurity concentration in transmutation doped germanium / O.P. Ermolaev, T.Y. Mikulchyk

Изучалось удельное сопротивление германия, трансмутационно легированного надкадмиевыми нейтронами, в области низких температур, когда перенос дырок между акцепторами осуществляется туннельным прыжковым образом без участия состояний валентной зоны. Показано, что концентрационную зависимость удельного сопротивления, измеренного при температуре 2.5 К, можно использовать для определения концентрации основной примеси в германии, трансмутационно легированном нейтронами.Resistivity of germanium transmutation doped by epicadmium neutrons has been studied in the range of temperature where the hopping transport of holes between acceptors occurs. It was shown that it is possible to use the concentration dependence of resistivity at 2.5 K to define the majority impurity concentration in germanium transmutation doped by epicadmium neutrons