Coalescence phenomenon in CrSi2 amorphous-crystalline thin films, production by ion-plasma sputtering / A.S. Dranenko, L.A. Dvorina

C помощью электронной микроскопии на просвет и компьютерного анализа изучены линейные параметры микроструктуры тонких аморфно-кристаллических пленок CrSi2 состоящих из кристаллической и аморфной фаз. Пленки напылялись ионно-плазменным методом при температуре подложки Tn = 300°С. Проведено сопоставление полученных результатов с расчетом кинетики диффузионной коалесценции, выполненным в рамках теории для островковых пленок. По данным о временной зависимости среднего размера кристаллитов в ансамбле определен коэффициент поверхностной самодиффузии CrSi2, который равен Ds = (1-4) 10-14 см2/с.Linears parameters of crystalline and amorphous phase of microstructure production on transmission electron microscope of CrSi2 thin films are studied using computers analysis of image. The films were prepared by the ion-plasma method sputtering chromium disilicide targets, produced by hot forming powder CrSi2. It is shown, that films deposited on the substate at T5 = 573 K have amorphous and crystalline phase. The results of experiments were calculated in terms of the kinetic diffusion coalescence theory for the regions films. The surface self-diffusion coefficient Ds was determinated by kinetics of mean size of crystalline. The calculations give the value of Ds=(1-4) 10-14 cm2/s