AES spectroscopy of Ti/TiN contact metallization of diamond / V.S.Solov’yev, G.A.Gusakov, O.V.Krekoten', E.A.Semenov

Исследован состав тонкопленочной металлизационной системы Ti/TiN, осажденной на синтетический алмаз методом магнетронного распыления. Наблюдалось некоторое загрязнение пленок кислородом и углеродом, причем углерод находился в составе карбидной фазы. Термообработка в вакууме при 700-800°С приводит к формированию слоя карбида титана в области границы раздела алмаз/Ті. Азот из нитридного слоя не диффундирует в слой карбида и прилегающую область алмаза. Слой TiN является также диффузионным барьером для Ti и Au, нанесенного на поверхность нитрида.The composition of titanium and titanium nitride films deposited on the synthetic diamond using the method magnetron sputtering has been studied. Some contamination of films by oxygen and cement carbon is take place. Annealing at high temperature (700 - 800°C) leads to the formation of a titanium carbide layer at the diamond/Ti interface Nitrogen does not diffuse into carbide layer and adjacent region of diamond. Titanium nitride layer also is a good diffusion barrier for titanium and gold deposited on the nitride surface