Представлен программный комплекс моделирования ионного легирования материалов электронной техники методом Монте-Карло. Рассмотрены программные аспекты реализации вычислений, а также физические приближения, используемые в комплексе.A package of computer programs is described which treats the slowing down of ions in solids by the means of Monte-Carlo method in the binary collision approximation for an amorphous substance using a screened Coulomb potential for nuclear collisions and the Brandt-Kitagawa theory for the electronic energy loss. For each nuclear collision, the impact parameter and the azimuthal deflection angle are determined from random numbers.The package contains a program of calculation of ion implantation whose features are de...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et ...
Ion implantation process for fabricating active devices in high bandgap semiconductor materials for ...
<正> A computer program MACA was developed for simulating high-dose ion implantation into amorp...
Представлен программный комплекс моделирования ионного легирования материалов электронной техники ме...
В работе изложены результаты исследований механических, трибологических и электрических свойств ионн...
В работе представлена конструкция узлов разработанной и введённой в эксплуатацию установки для моди...
Методом последовательных приближений исследуются вопросы учета исходного технологического разброса в...
Разработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологи...
Using binomial distribution, we have created a structure to describe Si1-xGex substrate, so ion impl...
Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионно-легирован...
[[abstract]]本研究主要設計一可程式的高壓電穿孔結合離子導入之電路,可以應用於細胞電穿孔或皮膚電穿孔,再利用離子導入法概念,導入藥物至皮下(胰島素)或抽取皮下新陳代謝物(葡萄糖、尿酸),因為...
SIGLEAvailable from British Library Document Supply Centre- DSC:DX83397 / BLDSC - British Library Do...
We have developed a reliable and efficient molecular dynamics program LEACS to simulate the low ener...
Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеПроведено моделирование на ЭВМ распределений по глубине...
В работе представлены научно-исследовательская аппаратура, методы исследований, а также результаты и...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et ...
Ion implantation process for fabricating active devices in high bandgap semiconductor materials for ...
<正> A computer program MACA was developed for simulating high-dose ion implantation into amorp...
Представлен программный комплекс моделирования ионного легирования материалов электронной техники ме...
В работе изложены результаты исследований механических, трибологических и электрических свойств ионн...
В работе представлена конструкция узлов разработанной и введённой в эксплуатацию установки для моди...
Методом последовательных приближений исследуются вопросы учета исходного технологического разброса в...
Разработана модель и создано программное обеспечение для определения оптимальных режимов в технологи...
Using binomial distribution, we have created a structure to describe Si1-xGex substrate, so ion impl...
Рассмотрена возможность использования быстрой термической обработки для формирования ионно-легирован...
[[abstract]]本研究主要設計一可程式的高壓電穿孔結合離子導入之電路,可以應用於細胞電穿孔或皮膚電穿孔,再利用離子導入法概念,導入藥物至皮下(胰島素)或抽取皮下新陳代謝物(葡萄糖、尿酸),因為...
SIGLEAvailable from British Library Document Supply Centre- DSC:DX83397 / BLDSC - British Library Do...
We have developed a reliable and efficient molecular dynamics program LEACS to simulate the low ener...
Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеПроведено моделирование на ЭВМ распределений по глубине...
В работе представлены научно-исследовательская аппаратура, методы исследований, а также результаты и...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et ...
Ion implantation process for fabricating active devices in high bandgap semiconductor materials for ...
<正> A computer program MACA was developed for simulating high-dose ion implantation into amorp...