Localization of implanted impurities in silicon / A.R.Cheiyadinskil, M.Jadan

Рентгенодифракционным и электрофизическим методами исследована локализация по узлам и междоузлиям в кремнии внедряемых примесей бора в зависимости от плотности тока имплантации. С ростом плотности тока имплантации доля примеси в узлах решетки растет, что связано с увеличением мгновенной концентрации вакансий и подавлением эффекта вытеснения примесей из узлов междоузельными атомами кремния