Для исследования поверхностной активности полупроводниковых кристаллов TIGaSe2 и TIInSSe использовался метод атомно-силовой микроскопии. Показано, что обработка этих кристаллов у-излучением изменяет их структурную дефектность и увеличивает их поверхностную активность. Изменения ювенильной поверхности продолжаются в течение нескольких десятков минут
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Предложен неразрушающий метод исследования физико-механических свойств поверхно- сти материалов, ос...
Алгоритм та програмне забезпечення комп’ютерної інтелектуальної системи розпізнавання електронограм...
Показано, что интерметаллиды модифицирующих лигатур не являются центрами кристаллизации первичных кр...
В статье проведен литературный обзор проблемы проведения исследований в области различных групп ните...
В статье проведен литературный обзор проблемы проведения исследований в области различных групп ните...
Показано, что фосфор, содержащийся в расплаве силумина в количестве 0,01–0,04%, находится в растворе...
Исследуется возможность исключения влияния естественного поверхностного слоя при определении методом...
Приведены результаты изучения влияния бомбардировки кремния ионами бора и кремния на его микротвердо...
В статье изложены результаты изучения микротрещиноватости частиц граната концентратов, полученных из...
В статье изложены результаты изучения микротрещиноватости частиц граната концентратов, полученных из...
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Предложен неразрушающий метод исследования физико-механических свойств поверхно- сти материалов, ос...
Алгоритм та програмне забезпечення комп’ютерної інтелектуальної системи розпізнавання електронограм...
Показано, что интерметаллиды модифицирующих лигатур не являются центрами кристаллизации первичных кр...
В статье проведен литературный обзор проблемы проведения исследований в области различных групп ните...
В статье проведен литературный обзор проблемы проведения исследований в области различных групп ните...
Показано, что фосфор, содержащийся в расплаве силумина в количестве 0,01–0,04%, находится в растворе...
Исследуется возможность исключения влияния естественного поверхностного слоя при определении методом...
Приведены результаты изучения влияния бомбардировки кремния ионами бора и кремния на его микротвердо...
В статье изложены результаты изучения микротрещиноватости частиц граната концентратов, полученных из...
В статье изложены результаты изучения микротрещиноватости частиц граната концентратов, полученных из...
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....
Методом направленной кристаллизации (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы CuIn13S20....