Impurity redistribution in al alloy under ion implantation / G.A.Gusakov, S.I.Zhukova, N.V.Ukhov

Методом Оже-электронной спектроскопии исследовано распределение основных легирующих сплав алюминия Д16 примесей при имплантации ионов сурьмы (Е=100 кэВ) и бора (Е=20 кэВ). Обнаружено увеличение концентрации атомов меди и магния в имплантированных ионами сурьмы слоях сплава. Имплантация ионов бора не приводит к перераспределению примесей.The distribution of basic impurities doping Al alloy D16 during antimony ion implantation (E=100 keV) and boron ion implantation (E=20keV) has been investigated by Auger-electron spectroscopy. The increase of copper and magnesium atoms concentration has been found in layers implanted with antimony ions. Boron ion implantation doesn't cause the redistribution of impurities