Determination of parametres and evolution of microstructure in CrSi2 amorphous-crystalline thin films, production by ion-plasma sputtering / A.S.Dranenko, L.A.Dvorina

С помощью электронной микроскопии, на просвет и компьютерного анализа изучено линейные, объемные конфигурационные параметры микроструктуры тонких аморфно-кристаллических пленок СгЗіг, состоящих кристаллической и аморфной фаз. С ростом толщины пленки линейные размеры кристаллитов, их объемная доли увеличиваются, а среднее межчастичное расстояние и удельное число частиц уменьшается. При этом происходит эволюция микроструктуры от матричного до матрично-статистического типа, обусловлена явлениями рекристаллизации в процессе осаждения пленки, коалесценции дискретных островков кристаллитов и "спекания" контактирующих части.Linears, volumes and configuration parameters of crystalline and amorphous phase of microstructure production on transmission electron microscope of СгЗіг thin films are studied using computers analysis of image. Linears dimension of crystalline phase and its specific number are decrease with the growth of films thickness. Evolution of microstructure from matrix to matrix - statistic type is happen stipulate recrystallization effect in the process of film setting, coalescence isolated standing by crystalline and "caking" of contacting particles