Some features of the E-centre annealing in irradiated Si crystals with different defect-impurity content / I.F. Medvedeva, L.I. Murin, V.P. Markevich

Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеМетодами эффекта Холла и DLTS исследованы особенности отжига комплексов вакансия-фосфор (Е- центров) в кристаллах кремния с различным содержанием примесных атомов фосфора и кислорода. Установлено, что доминирующим механизмом отжига Е- центров, находящихся в нейтральном зарядовом состоянии, является диссоциация c появлением подвижной вакансии и последующим образованием А-центров (комплексов вакансия-кислород) и дефектов с акцепторным уровнем у Ес-0.21 эВ, идентифицированных как пара атомов углерода в узлах решетки (Сs-Сs) = The generation and annihilation of defects upon electron irradiation and subsequent annealing have been studied by Hall effect and DLTS techniques in phosphorus-doped silicon crystals which were grown by the vacuum float zone technique. It was found that the disappearance of phosphorus-vacancy pairs in the temperature range of 125-175 °C is accompanied by a significant reduction in the concentration of Ci-Cs complexes and formation of a defect with an acceptor level at Ec-0.21 eV. The level was assigned to a pair of substitutional carbon atoms (Cs-Cs), which is formed when the free vacancy released upon E centre annealing is captured by the Ci-Cs complex. In samples containing some amount of oxygen the formation of A-centres has been observed upon disappearance of the phosphorus-vacancy pair