СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ И ПОСЛЕДУЮЩЕГО ОТЖИГА

Зайков, В. А.
Гайдук, П. И.
Новиков, А. Г.
Прокопьев, С. Л.
Наливайко, О. Ю.
Пшеничный, Е. Н.

Publication date

January 2010

Publisher

Издательский центр БГУ

Abstract

В настоящей работе представлены результаты исследования структурных свойств слоев поли-Ge, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ). Исследованы электрофизические свойства Ge/Si структур после легирования ионами бора и фосфора и последующего отжига