Механизм электропроводности и теплопроводности в AgSbSe2

Проведены исследования электропроводности и теплопроводности AgSbSe2 в температурной области 80–330 К. Показано, что перенос заряда в AgSbSe2 осуществляется посредством прыжковой проводимости носителей по локализованным состояниям. Вычислены радиус локализованного состояния и плотности локализованных состояний на уровне Ферми. Показано, что высокая дефектность AgSbSe2 приводит к низкому значению решеточной теплопроводности