Расчет электронных энергетических зон и оптических параметров сульфидов олова

Теоретическим моделированием установлены зонная структура и оптические свойства различных по стехиометрическому составу и кристаллической решетке фаз сульфида олова. Показано, что все они являются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны от 0,17 до 2,4 эВ. Перспективным материалом для применения в солнечной энергетике представляется SnS в кубической и орторомбической фазах с шириной запрещенной зоны 1,0–1,5 эВ и коэффициентом поглощения в видимой области спектра более 105 см–1. The electron energy band structure and optical properties of various phases of tin sulfide were theoretically estimated by computer simulation. All the investigated materials were found to be indirect-gap semiconductors with a band gap ranging from 0.17 to 2.4 eV. The band gap in the range of 1.0–1.5 eV and the absorption coefficient near the fundamental absorption edge of more than 105 cm–1 in the cubic and orthorhombic phases of tin sulfide with a stoichiometric composition of SnS make them promising for solar energy conversion