Semiconductor image converter

Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p-n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p-n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов