Luminescence of GaN-based p–i–n-structures grown on sapphire substrate

Приведены результаты исследования оптических свойств серии образцов p–i–n-структур на основе нитрида галлия, различающихся условиями выращивания покровного слоя р-типа. Показано, что спектроскопия фотолюминесценции может применяться как экспрессный метод для сравнения слоев нитрида галлия, легированных магнием и выращенных при одинаковом соотношении Mg/Ga, по величине концентрации носителей заряда, а также позволяет судить о распределении примесей и дефектных центров по глубине структуры. Полученная информация способствует применению спектроскопии фотолюминесценции как экспрессного метода, используемого для оптимизации роста структур на основе GaN