Впервые получено аналитическое и численное решение обратной спектрофотометрической задачи для слоя диоксида кремния на кремниевой подложке. Аналитически определенные параметры слоя и подложки можно использовать в качестве первых приближений при численных расчетах параметров трехслойной модели. Структуру неоднородных поверхностного и переходного слоев интерпретировали моделью Максвелла-Гарнетта и Бруггемана
В работе предлагается использовать коэффициент подпомеховой видимости для оценки качества обработки ...
Проведен анализ влияния мерцаний импульсных светодиодных источников света, широко применяемых для по...
Для проверки аддитивности оптической плотности смесей в средней ИК-области использованы новые статис...
На примере двухслойной структуры полупроводник – диэлектрик – полупроводник рассмотрена возможность ...
C учётом автомодуляционного спектрального смещения и неоднородного уширения линии резонансного погло...
Продовжені дослідження газодинамічних процесів у внутрішніх каналах, з використанням оптичної візуал...
У даному розділі розглядаються перспективи застосування методу дзеркальних еліпсоїдів обертання для ...
Фотоакустичке мерне методе се интензивно развијају у последње четири децeнијеи налазе све разноврсни...
547-552Предлагается новый метод расчета диэлектрической проницаемости оптических волокон с использов...
В статье представлены экспериментальные исследования профиля поверхности тонкого горизонтального сло...
Розроблено схему оптичного пристрою для дослідження форми поверхні. Схема пристрою дозволяє проводит...
Методами гібридних інтеґральних перетворень Фурʼє-Бесселя зі спектральним параметром для двоскладово...
Теоретически установлена возможность временной модуляции квазинепрерывного излучения в ходе резонанс...
В данной работе были представлены результаты получения сульфидных гетероструктур ZnS / SnS[x] с испо...
Рассмотрено математическое моделирование технологических погрешностей расположения оптических элемен...
В работе предлагается использовать коэффициент подпомеховой видимости для оценки качества обработки ...
Проведен анализ влияния мерцаний импульсных светодиодных источников света, широко применяемых для по...
Для проверки аддитивности оптической плотности смесей в средней ИК-области использованы новые статис...
На примере двухслойной структуры полупроводник – диэлектрик – полупроводник рассмотрена возможность ...
C учётом автомодуляционного спектрального смещения и неоднородного уширения линии резонансного погло...
Продовжені дослідження газодинамічних процесів у внутрішніх каналах, з використанням оптичної візуал...
У даному розділі розглядаються перспективи застосування методу дзеркальних еліпсоїдів обертання для ...
Фотоакустичке мерне методе се интензивно развијају у последње четири децeнијеи налазе све разноврсни...
547-552Предлагается новый метод расчета диэлектрической проницаемости оптических волокон с использов...
В статье представлены экспериментальные исследования профиля поверхности тонкого горизонтального сло...
Розроблено схему оптичного пристрою для дослідження форми поверхні. Схема пристрою дозволяє проводит...
Методами гібридних інтеґральних перетворень Фурʼє-Бесселя зі спектральним параметром для двоскладово...
Теоретически установлена возможность временной модуляции квазинепрерывного излучения в ходе резонанс...
В данной работе были представлены результаты получения сульфидных гетероструктур ZnS / SnS[x] с испо...
Рассмотрено математическое моделирование технологических погрешностей расположения оптических элемен...
В работе предлагается использовать коэффициент подпомеховой видимости для оценки качества обработки ...
Проведен анализ влияния мерцаний импульсных светодиодных источников света, широко применяемых для по...
Для проверки аддитивности оптической плотности смесей в средней ИК-области использованы новые статис...