The Nonconductive Sputtered Thin Film Layer

Práce se zabývá tematikou dielektrických vrstev vytvořených tenkovrstvými technologiemi. Sada tenkovrstvých kondenzátorů byla připravena pomocí metody naprašování a vakuového napařování. Dielektrická vrstva byla nanášena při různých podmínkách naprašovacího procesu. Dielektická vrstva Al2O3 byla naprašována na skleněnou podložku. Měřenými parametry byly elektrická kapacita a tloušťka vrstvy. Tloušťka byla určena pomocí zařízení vyžívajícího hrotovou metodu. Vyhodnocovala se závislost elektrické kapacity a tloušťky tenkovrstvého kondenzátoru v závislosti na podmínkách procesu naprašování – výkon plasmy a čas depozice.The work is focused on topic of dielectrics layers prepared by thin film layer technology, specifically by sputtering. Set of samples of thin film capacitors was prepared. Samples differ by different conditions of preparation of dielectric layer. Dielectric layers were deposited by sputtering of Al2O3 on glass substrate. The measured parameters were the electrical capacity and thickness of the dielectric layer. Thickness was obtained with help of device using the stylus method. The main evaluated parameters are the capacity and thickness of thin film capacitors in dependence on the deposition process conditions – plasma power and deposition time