Особенности электрохимического полирующего травления моно-кристаллического кремния в неокислительном травителе

Specific features of the electrochemical etching of single crystal n- and p-type silicon in a non-oxidizing etching reagent (< 12 vol. % of HF) were studied. Pulsation of voltage-time dependence of etching was found. The obtained results are explained by the formation of a loose high-resistance layer of complex fluorides and silicon oxides on the surface of the silicon substrate, as well as by differences in the nature of n- and p-type silicon etching.Исследованы особенности электрохимического травления монокристаллического кремния n- и р-типа в неокислительном травителе на основе фтороводородной кислоты, подобном травителю, используемому при получении нанопористого кремния, однако содержащем менее 10-12% об. фтороводородной кислоты. Обнаружена пульсация на зависимости напряжения, прикладываемого к ячейке травления, от времени. Полученные результаты объяснены образованием высокоомного рыхлого слоя из сложных фторидов и оксидов кремния на поверхности кремниевой подложки, а также различием в характере травления кремния n- и р-типа