Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system

В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова